 2.svg){kind=icon}
SSD Samsung 870 QVO 1TB MZ-77Q1T0BW
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps
|
Основные
|
|
| Форм-фактор | 2.5" |
| Интерфейс | SATA 3.0 |
| Контроллер | Samsung MKX |
| Объем | 960Гб - 1 ТБ |
| Тип микросхем Flash | 3D QLC NAND |
|
Комплектация
|
|
| Комплект поставки | отдельный накопитель в картонной коробке |
|
Общая информация
|
|
| Дата выхода на рынок | 2020 |
|
Технические характеристики
|
|
| DRAM-буфер | Да |
| Объем DRAM-буфера | 1024 |
| Буфер | 1024 |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 1500000 |
| Охлаждение | Нет |
| Подсветка | Нет |
| Скорость последовательного чтения | 560 |
| Скорость последовательной записи | 530 |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.003 |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 2.2 |
Samsung 870 QVO 1TB – это надежный и быстрый SSD накопитель объемом 1 ТБ, идеально подходящий для ваших компьютеров и ноутбуков. Благодаря использованию 3D QLC NAND микросхем и передового контроллера Samsung MKX, этот SSD обеспечивает высокую скорость чтения и записи данных. Форм-фактор 2.5 позволяет легко установить его в большинство устройств. Интерфейс SATA 3.0 гарантирует максимальную производительность. Объем 960 ГБ (фактический объем может отличаться) позволит вам хранить и быстро получать доступ к вашим файлам, операционной системе и приложениям. Этот SSD отличается высокой надежностью, подтвержденной временем наработки на отказ (MTBF) в 1500000 часов. Энергопотребление в режиме ожидания минимальное – всего 0.003 Вт. Samsung 870 QVO – отличный выбор для тех, кто ценит скорость, надежность и производительность. Объем: 960Гб - 1 ТБ;Форм-фактор: 2.5;Интерфейс: SATA 3.0;Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND;Контроллер: Samsung MKX;Дата выхода на рынок: 2020;Подсветка: Нет;Охлаждение: Нет;Комплект поставки: отдельный накопитель в картонной коробке;Буфер: 1024;Энергопотребление (чтение/запись): 2.2;Энергопотребление (ожидание): 0.003;Время наработки на отказ (МТBF): 1500000;Скорость последовательного чтения: 560;Скорость последовательной записи: 530;
Текст описания сгенерирован при помощи ИИ
