-
Каталог
-
О компании
-
Доставка и оплата
-
Сервисное обслуживание
-
Полезно знать
|
Общая информация
|
|
| Дата выхода на рынок | 2021 |
|
Технические характеристики
|
|
| Сокет | LGA1200 |
| Модельный ряд | Xeon E |
| Количество ядер | 4 |
| Базовая тактовая частота | 3.4 |
| Виртуализация Intel VT-d | Да |
| Виртуализация Intel VT-x | Да |
| Встроенная графика | Нет |
| Встроенный контроллер PCI Express | Да |
| Кодовое название кристалла | Rocket Lake |
| Количество каналов памяти | 2 |
| Кэш L3 | 8 МБ |
| Макс. частота памяти | 3200 |
| Максимальная частота | 4.8 |
| Максимальное количество потоков | 8 |
| Многопоточность ядра | Да |
| Охлаждение в комплекте | Нет |
| Поддержка памяти | DDR4 |
| Расчетная тепловая мощность (TDP) | 65 |
| Техпроцесс | 14 |
| Тип поставки | OEM |
Процессор Intel Xeon E-2334 – это надежный и производительный выбор для серверов, рабочих станций и других задач, требующих высокой вычислительной мощности. Выпущенный в 2021 году, этот процессор относится к модельному ряду Xeon E и поставляется в формате OEM. Он основан на кристалле Rocket Lake и использует сокет LGA1200, обеспечивая совместимость с широким спектром материнских плат. Xeon E-2334 обладает 4 ядра и 8 потоками, что позволяет эффективно обрабатывать множество задач одновременно. Его кэш L3 объемом 8 МБ способствует ускорению доступа к данным. Процессор поддерживает память DDR4 с максимальной частотой 3200 МГц в двух каналах, обеспечивая высокую пропускную способность. Встроенный контроллер PCI Express позволяет подключать современные устройства, такие как видеокарты и сетевые адаптеры. Отсутствие встроенной графики делает этот процессор идеальным для серверов, где требуется максимальная производительность CPU. Расчетная тепловая мощность (TDP) составляет 65 Вт, что позволяет использовать его в системах с эффективным охлаждением. Поддерживаются технологии многопоточности ядра и виртуализации Intel VT-x и VT-d, что расширяет возможности использования процессора в виртуальных средах. Базовая тактовая частота 3.4 ГГц может быть увеличена до 4.8 ГГц. Произведен по 14-нм техпроцессу.
Текст описания сгенерирован при помощи ИИ.