 2.svg){kind=icon}
Процессор AMD Ryzen 5 3600
2019 г, Matisse (Zen 2), сокет AM4, 6 ядер, 12 потоков, частота 4.2/3.6 ГГц, кэш 3 МБ + 32 МБ, техпроцесс 7 нм, поддержка DDR4, TDP 65W
|
Общая информация
|
|
| Дата выхода на рынок | 2019 |
|
Технические характеристики
|
|
| Сокет | AM4 |
| Модельный ряд | Ryzen 5 |
| Количество ядер | 6 |
| Встроенная графика | Нет |
| Встроенный контроллер PCI Express | Да |
| Кодовое название кристалла | Matisse |
| Количество каналов памяти | 2 |
| Кэш L2 | 3 МБ |
| Кэш L3 | 32 МБ |
| Макс. частота памяти | 3200 |
| Максимальная Turbo-частота | 4.2 |
| Максимальное количество потоков | 12 |
| Многопоточность ядра | Да |
| Охлаждение в комплекте | Нет |
| Поддержка памяти | DDR4 |
| Расчетная тепловая мощность (TDP) | 65 |
| Тактовая частота | 3.6 |
| Тип поставки | OEM |
| Толщина транзистора | 7 |
Процессор AMD Ryzen 5 3600 – мощный и эффективный выбор для современных компьютеров и игровых систем. Выпущенный в 2019 году, этот процессор относится к модельному ряду Ryzen 5 и использует кристалл Matisse. Он поставляется в формате OEM, что означает, что его необходимо устанавливать в материнскую плату с сокетом AM4. Ryzen 5 3600 обладает 6 ядра и 12 потоками, обеспечивая высокую производительность в многозадачных сценариях и требовательных приложениях. Базовая тактовая частота составляет 3.6 ГГц, а максимальная Turbo-частота достигает 4.2 ГГц, что гарантирует плавную работу даже в самых ресурсоемких играх и приложениях. Процессор оснащен 32 МБ кэш-памяти L3 и 3 МБ кэш-памяти L2, что способствует быстрому доступу к данным и повышает общую производительность системы. Поддерживает оперативную память DDR4 с максимальной частотой 3200 МГц. Встроенный контроллер PCI Express обеспечивает высокую скорость передачи данных для современных видеокарт и накопителей. Не требует дополнительного охлаждения, но для оптимальной работы рекомендуется использовать качественную систему охлаждения. Не содержит встроенную графику, поэтому для работы требуется дискретная видеокарта. Расчетная тепловая мощность (TDP) составляет 65 Вт. Толщина транзистора – 7 нм. Поддерживает многопоточность ядра. Текст описания сгенерирован при помощи ИИ.
