-
Каталог
-
О компании
-
Доставка и оплата
-
Сервисное обслуживание
-
Полезно знать
|
Общая информация
|
|
| Дата выхода на рынок | 2021 |
|
Технические характеристики
|
|
| Сокет | LGA4189 |
| Модельный ряд | Xeon |
| Количество ядер | От 16 ядер |
| Базовая тактовая частота | 2 |
| Виртуализация Intel VT-d | Да |
| Виртуализация Intel VT-x | Да |
| Встроенная графика | Нет |
| Встроенный контроллер PCI Express | Да |
| Защищенная платформа Intel TXT | Да |
| Кодовое название кристалла | Ice Lake |
| Количество каналов памяти | 8 |
| Кэш L3 | 42 МБ |
| Макс. частота памяти | 2933 |
| Максимальная частота | 3.1 |
| Максимальное количество потоков | 56 |
| Многопоточность ядра | Да |
| Охлаждение в комплекте | Нет |
| Поддержка памяти | DDR4 |
| Расчетная тепловая мощность (TDP) | 205 |
| Техпроцесс | 10 |
| Тип поставки | OEM |
Процессор Intel Xeon Gold 6330 – это мощный серверный процессор, предназначенный для задач, требующих высокой производительности и надежности. Выпущенный в 2021 году, он относится к модельному ряду Xeon и поставляется в формате OEM. Основанный на кристалле Ice Lake, процессор оснащен 16 ядра и 56 потоков, обеспечивая впечатляющую многопоточную производительность. Благодаря архитектуре Ice Lake, процессор поддерживает современную память DDR4 с максимальной частотой 2933 МГц и использует 8 каналов памяти.
Intel Xeon Gold 6330 обладает внушительным кэшем L3 объемом 42 МБ, что способствует ускорению доступа к данным. Встроенный контроллер PCI Express обеспечивает высокую пропускную способность для подключения периферийных устройств. Отсутствие встроенной графики делает этот процессор идеальным выбором для серверов и рабочих станций, где графическая производительность не является приоритетом.
Процессор поддерживает виртуализацию Intel VT-x и Intel VT-d, что позволяет создавать и запускать виртуальные машины с повышенной безопасностью и производительностью. Расчетная тепловая мощность (TDP) составляет 205 Вт. Поддерживается технология Защищенная платформа Intel TXT. Базовая тактовая частота – 2 ГГц, максимальная – 3.1 ГГц. Техпроцесс – 10 нм.
Текст описания сгенерирован при помощи ИИ.