 2.svg){kind=icon}
Процессор Intel Xeon Silver 4410Y
Sapphire Rapids, LGA4677, 12 ядер, частота 3.9/2 ГГц, кэш 30 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 150W
|
Общая информация
|
|
| Дата выхода на рынок | 2023 |
|
Технические характеристики
|
|
| Макс. частота памяти без разгона | 4000 |
| Сокет | LGA4677 |
| Модельный ряд | Xeon |
| Количество ядер | 12 |
| Базовая тактовая частота | 2 |
| Виртуализация Intel VT-d | Да |
| Виртуализация Intel VT-x | Да |
| Встроенная графика | Нет |
| Встроенный контроллер PCI Express | Да |
| Кодовое название кристалла | Sapphire Rapids |
| Количество каналов памяти | 8 |
| Кэш L3 | 30 МБ |
| Максимальная частота | 3.9 |
| Максимальное количество потоков | 24 |
| Многопоточность ядра | Да |
| Охлаждение в комплекте | Нет |
| Поддержка памяти | DDR5 |
| Расчетная тепловая мощность (TDP) | 150 |
| Техпроцесс | 7 |
| Тип поставки | OEM |
Процессор Intel Xeon Silver 4410Y – это надежный и производительный серверный процессор, выпущенный в 2023 году. Он относится к модельному ряду Xeon и поставляется в формате OEM. Этот процессор, основанный на кристалле Sapphire Rapids, предназначен для мощных рабочих станций и серверов, требующих высокой производительности и стабильности.
Xeon Silver 4410Y обладает 12 ядрами и 24 потоками, что обеспечивает отличную многопоточную производительность. Его кэш L3 объемом 30 МБ способствует ускорению обработки данных. Процессор поддерживает память DDR5, обеспечивая высокую пропускную способность. Благодаря 8 каналам памяти, он способен эффективно работать с большими объемами данных.
Встроенный контроллер PCI Express позволяет подключать широкий спектр периферийных устройств. Отсутствие встроенной графики делает этот процессор идеальным выбором для серверов, где графическая обработка не требуется. Расчетная тепловая мощность (TDP) составляет 150 Вт, что позволяет эффективно охлаждать процессор. Поддерживается технология многопоточности ядра, а также виртуализация Intel VT-x и VT-d для повышения безопасности и производительности виртуальных машин.
Базовая тактовая частота 2 ГГц, максимальная частота 3.9 ГГц. Техпроцесс 7 нм. Максимальная частота памяти без разгона 4000 МГц.
Текст описания сгенерирован при помощи ИИ.
